[发明专利]阻止晶体管栅极电极的预非晶化有效
| 申请号： | 200880022836.4 | 申请日： | 2008-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101809713A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | A·莫里;M·连斯基;A·魏;R·博施克 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L21/266;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性地预非晶化晶体管的源极/漏极区且同时阻止该晶体管的栅极电极的预非晶化的技术。例示实施例包含在栅极电极之上形成预非晶化注入阻挡材料。另外的例示实施例包含使用各种应力源而在通道区中诱发应变。 | ||
| 搜索关键词： | 阻止 晶体管 栅极 电极 预非晶化 | ||
【主权项】：
一种方法，包括下列步骤：提供衬底(101)；该衬底(101)具有晶体管(110)的栅极电极(105)，该栅极电极(105)之上设有预非晶化注入阻挡材料(132)；该衬底(101)具有该晶体管(110)的无该预非晶化注入阻挡材料(132)的源极/漏极区(112)；以及使该衬底(101)接受预非晶化注入工艺(135)，以预非晶化该源极/漏极区(112)的至少一部分，同时阻挡该栅极电极(105)接受该预非晶化注入工艺(135)。
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