[发明专利]真空处理系统及基板搬送方法

摘要

本发明提供真空处理系统及基板搬送方法。真空处理系统(1)具备：第一处理部(2)，其在搬送晶片(W)的第一搬送室(11)上连接PVD处理室(12～15)而成；第二处理部(3)，其在搬送晶片的第二搬送室(21)上连接CVD处理室(22、23)而成；缓冲室(5a)，其隔着门阀(G)设于第一搬送室(11)及第二搬送室(12)之间，可以收容晶片(W)，并且可以进行压力调整；控制部(110)，其如下进行控制，即，将缓冲室(5a)与第一搬送室(11)及第二搬送室(12)的任意一方选择性地连通，按照使其内部的压力适合于所连通的搬送室内的压力的方式，控制门阀(G)的开闭及缓冲室(5a)的压力。

主权项

1.一种真空处理系统，具备：第一处理部、第二处理部、缓冲室、控制机构，所述第一处理部具有：第一处理室，其在相对低的压力下对被处理基板进行真空处理；第一搬送室，其连接所述第一处理室，内部被调整为适合于所述第一处理室的处理压力的真空度；搬送机构，其设于所述第一搬送室中，将被处理基板相对于所述第一处理室搬入搬出，所述第二处理部具有：第二处理室，其在相对高的压力下对被处理体进行真空处理；第二搬送室，其连接所述第二处理室，内部被调整为适合于所述第二处理室的处理压力的真空度；搬送机构，其设于所述第二搬送室中，将被处理基板相对于所述第二处理室搬入搬出，所述缓冲室隔着门阀设于所述第一搬送室及所述第二搬送室之间，在其内部可以收容被处理基板，并且其内部可以进行压力调整，所述控制机构如下进行控制：在将被处理基板从所述第一搬送室及所述第二搬送室的任意一方向另一方搬送时，在关闭了所述门阀的状态下，使所述缓冲室的压力适合于所述第一搬送室及所述第二搬送室中的存在被处理基板的一方的压力，打开该存在被处理基板的搬送室和所述缓冲室之间的门阀而使它们之间选择性地连通，将被处理基板搬入到所述缓冲室，关闭所述门阀而将所述缓冲室与所述第一及第二搬送室隔断，在该状态下使所述缓冲室的压力适合于另一方的搬送室的压力，打开所述缓冲室与所述另一方的搬送室之间的门阀而将被处理基板从所述缓冲室向另一方的搬送室搬送。