[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200880023593.6 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101689510A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 八木岩 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴孟秋;梁 韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(19-1)包括：源电极(3s)和漏电极(3d)，配置在基板(1)上；绝缘隔壁(5)，配置在基板(1)上，其具有到达源电极(3s)和漏电极(3d)的端部和在这些电极(3s～3d)之间的第一开口(5a)；沟道部半导体层(7a)，其由自隔壁(5)之上所形成的半导体层(7)构成，并且将其配置在第一开口(5a)的底部上，同时与隔壁(5)上的半导体层(7)分离；栅极绝缘膜(9)，自包括沟道部半导体层(7a)的半导体层(7)之上的所有表面上形成；以及栅电极(11a)，配置在栅极绝缘膜(9)上同时与沟道部半导体层(7a)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：源电极和漏电极，设置在基板上；绝缘隔壁，具有在所述源电极和所述漏电极之间的第一开口和位于所述源电极的中央部和所述漏电极的中央部的第二开口，所述第一开口到达所述基板，所述第二开口到达所述源电极和所述漏电极，并且所述绝缘壁设置在所述基板上；沟道部半导体层，设置在所述第一开口的底部上；栅极绝缘膜，以覆盖所述第二开口和包括所述沟道部半导体层的所述第一开口的方式设置在所述隔壁上；以及栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上，同时与所述沟道部半导体层重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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