[发明专利]接合体以及接合方法无效

专利信息
申请号: 200880023893.4 申请日: 2008-07-02
公开(公告)号: CN101688084A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 松尾泰秀;大塚贤治;樋口和央;若松康介 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: C09J5/02 分类号: C09J5/02;B32B9/00;B41J2/16;H01L21/02;H01L27/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的接合体具有第一粘附体和第二粘附体,所述第一粘附体包括第一基材和设置于该第一基材上且含有Si骨架和键合于该Si骨架的脱离基的第一接合膜,所述第二粘附体包括第二基材和设置于该第二基材上的第二接合膜,所述第二接合膜含有Si骨架和键合于该Si骨架的脱离基。该第一接合膜与第二接合膜中,Si骨架具有含硅氧烷键的无规的原子结构。并且,对第一接合膜与第二接合膜赋予能量时,呈现粘合性,由此,第一粘附体与第二粘附体之间被接合,得到接合体。
搜索关键词: 接合 以及 方法
【主权项】:
1、一种接合体,其特征在于,具有第一粘附体和第二粘附体,所述第一粘附体包括第一基材和设置于该第一基材上且含有Si骨架和键合于该Si骨架的脱离基的第一接合膜,所述Si骨架具有含硅氧烷(Si-O)键的无规的原子结构,所述第二粘附体包括第二基材和设置于该第二基材上且与所述第一接合膜相同的第二接合膜,并且所述接合体中利用下述粘接性接合有所述第一粘附体和所述第二粘附体,所述粘接性是分别对所述第一接合膜的至少一部分区域以及所述第二接合膜的至少一部分区域赋予能量,所述第一接合膜与所述第二接合膜的存在于至少表面附近的所述脱离基从所述Si骨架脱离,从而所述第一接合膜表面的所述区域以及所述第二接合膜的表面的所述区域分别呈现出的粘接性。
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