[发明专利]分割半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200880024771.7 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101796628A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 有田洁;钟贝笃史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陆军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了能够防止碎裂的分割半导体晶片的方法。半导体晶片1被分割为圆环形区域1a和位于该环形区域1a的内侧的分割区域。包含在该分割区域中的半导体晶片1沿着多个垂直的切割线4被切割为格形，并被分割成多个芯片2。另一方面，包含在环形区域1a中的半导体晶片1沿着经过半导体晶片1的中心O的、与所述切割线4平行延伸的两条划分线5被切割，并被划分为4个独立区域。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种借助等离子体蚀刻处理将半导体晶片分割为多个芯片的方法，在该半导体晶片的电路形成表面上提供了保护片，所述方法包括步骤：通过沿着多条垂直的切割线切割分割区域，将该分割区域分割为多个芯片，其中，在在该半导体晶片的圆周中划分的环形区域的内侧，划分该分割区域；以及通过沿着与所述垂直的切割线平行而从该半导体晶片的中心延伸的两条划分线，切割所述环形区域，来将所述环形区域划分为4个独立区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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