[发明专利]在晶圆上沉积薄膜的装置与方法以及进行填隙沟渠的方法有效
| 申请号： | 200880025045.7 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101809711A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴相俊;韩昌熙;李昊荣;郑成会 | 申请（专利权）人： | IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种沉积薄膜的装置及其方法，以及一种填隙半导体元件中的沟渠的方法。该薄膜沉积装置包括多个基板，其配备于反应器内的相同空间上，其中借由当旋转基板时在预定的时间间隔上将基板暴露于同时供应的两个或多个源气体及蚀刻气体，来重复薄膜的沉积和对已沉积薄膜的部分蚀刻以在多个基板上形成薄膜。根据示例性实施例，可同时地或选择地实施薄膜的沉积和蚀刻，以便沉积具有优良填隙性能的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上 沉积 薄膜 装置 方法 以及 进行 填隙 沟渠 | ||
【主权项】：
一种用于沉积薄膜的装置，其特征在于，包括：反应器；以及多个基板，配备于所述反应器内的相同空间上，其中借由当旋转所述多个基板时在时间间隔上将所述多个基板暴露于两个或多个源气体及同时供应的蚀刻气体，来重复所述薄膜的沉积以及对所述已沉积的薄膜的部分蚀刻，以在所述多个基板上形成所述薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IPS股份有限公司，未经IPS股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880025045.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
