[发明专利]清洗和防腐用组合物及半导体元件或显示元件的制造方法有效
申请号: | 200880100170.X | 申请日: | 2008-07-03 |
公开(公告)号: | CN101755324A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 岛田宪司;松永裕嗣;安部幸次郎;山田健二 | 申请(专利权)人: | 三菱瓦斯化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C11D7/32;C11D7/34;C23G1/04;H01L21/3205;H01L21/768 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物,其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序,其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3,5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1,2,4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种,清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1,2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外,本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 清洗 防腐 组合 半导体 元件 显示 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种清洗和防腐用组合物,其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件或显示元件的制造工序,并且含有防腐剂成分和清洗剂成分,其中,所述防腐剂成分为选自吡唑、3,5-二甲基吡唑、3,5-吡唑二羧酸一水合物、吡唑-1-甲脒盐酸盐、3-氨基-5-羟基吡唑、1-苯基吡唑、3-氨基-4-苯基吡唑、1,2,4-三唑、4-氨基-3,5-二甲基-1,2,4-三唑、亚氨基二乙酸、羟基乙二胺三乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸、羟乙基亚氨基二乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐、二异丙基二硫醚、二丁基二硫醚和二乙基二硫醚所组成的组中的至少一种,所述清洗剂成分为选自氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1,2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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