[发明专利]用于修饰适于半导体制作的表面的组合物和方法有效

专利信息
申请号: 200880102726.9 申请日: 2008-07-08
公开(公告)号: CN101779274A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: L·查尔斯·哈迪;希瑟·K·克兰兹;托马斯·E·伍德;戴维·A·凯撒基;约翰·J·加格里亚蒂;约翰·C·克拉克;帕特里西亚·M·萨武;菲利普·G·克拉克 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 郇春艳;樊卫民
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于修饰或精修适于制作半导体的晶片表面的组合物和方法。所述组合物包括适用于修饰适于制作半导体器件的晶片表面的工作液体。在一些实施例中,所述工作液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液,所述组分包含水、表面活性剂和至少一种pKa大于7的pH缓冲剂。在某些实施例中,所述pH缓冲剂包括碱性pH调节剂和酸性络合剂,所述工作液体表现约7至约12的pH。在另外的实施例中,本发明提供包括适于修饰晶片表面的表面活性剂的固定的研磨制品以及制造所述固定的研磨制品的方法。另外的实施例描述了可用于修饰晶片表面的方法。
搜索关键词: 用于 修饰 适于 半导体 制作 表面 组合 方法
【主权项】:
一种用于修饰适用于制作半导体器件的晶片表面的工作液体,所述液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液,所述组分包含:a.水;b.至少一种pKa大于7的pH缓冲剂,其中所述pH缓冲剂包含碱性pH调节剂和酸性络合剂;以及c.表面活性剂;其中所述工作液体表现约7至约12的pH。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880102726.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top