[发明专利]用于修饰适于半导体制作的表面的组合物和方法有效
申请号: | 200880102726.9 | 申请日: | 2008-07-08 |
公开(公告)号: | CN101779274A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | L·查尔斯·哈迪;希瑟·K·克兰兹;托马斯·E·伍德;戴维·A·凯撒基;约翰·J·加格里亚蒂;约翰·C·克拉克;帕特里西亚·M·萨武;菲利普·G·克拉克 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郇春艳;樊卫民 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于修饰或精修适于制作半导体的晶片表面的组合物和方法。所述组合物包括适用于修饰适于制作半导体器件的晶片表面的工作液体。在一些实施例中,所述工作液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液,所述组分包含水、表面活性剂和至少一种pKa大于7的pH缓冲剂。在某些实施例中,所述pH缓冲剂包括碱性pH调节剂和酸性络合剂,所述工作液体表现约7至约12的pH。在另外的实施例中,本发明提供包括适于修饰晶片表面的表面活性剂的固定的研磨制品以及制造所述固定的研磨制品的方法。另外的实施例描述了可用于修饰晶片表面的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 修饰 适于 半导体 制作 表面 组合 方法 | ||
【主权项】:
一种用于修饰适用于制作半导体器件的晶片表面的工作液体,所述液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液,所述组分包含:a.水;b.至少一种pKa大于7的pH缓冲剂,其中所述pH缓冲剂包含碱性pH调节剂和酸性络合剂;以及c.表面活性剂;其中所述工作液体表现约7至约12的pH。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880102726.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于治疗病毒感染的叠氮基嘌呤核苷
- 下一篇:WLAN中用于远程RRM的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造