[发明专利]电子部件制造方法和通过该方法制造的电子部件无效
| 申请号： | 200880103405.0 | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101821431A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 森内裕之;田所义浩;御子贝英一;中野芳一 | 申请（专利权）人： | 第一电子工业株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;C25D5/12;H01L23/50;H01R12/08;H01R12/24;H01R13/03 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子不能扩散到含锡材料层(74)中且抑制外力型晶须的电子部件的制造方法及通过该方法制造的电子部件。本发明的电子部件的制造方法是在材料(70)上进行表面处理的制造方法，包括在材料(70)的表面上进行衬底层(72)的表面处理、和在衬底层(72)的上方进行含锡材料层(74)的表面处理的工序，其中，具有在设置含锡材料层(74)之前设置势垒中间层(76)的工序，以达到防止材料(70)及衬底层(72)的组成成分的原子扩散到含锡材料层(74)中且抑制含锡材料层(74)的表面上负载了外力时的外力型晶须的产生的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 制造 方法 通过 | ||
【主权项】：
电子部件的制造方法，该制造方法是对材料实施表面处理的方法，包括对材料表面进行的衬底层表面处理工序、和在所述衬底层的上方进行的含锡材料层表面处理工序，其中，所述方法具有在设置所述含锡材料层之前设置势垒中间层的工序，以防止所述材料及所述衬底层的组成成分的原子扩散到所述含锡材料层中，并抑制所述含锡材料层的表面负载了外力时的外力型晶须的产生。
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