[发明专利]有机电子设备、有机电子设备的制造方法、有机电子设备的制造装置、基板处理系统、保护膜的构造体以及存储有制造程序的存储介质有效
申请号: | 200880105074.4 | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101796885A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 石川拓 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 通过在缓和应力的同时具有高密封能力并且不改变有机元件特性的保护膜来保护有机元件。在基板处理装置Sys中,包括沉积装置PM1、第一微波等离子体处理装置PM3以及第二微波等离子体处理装置PM4的基板处理装置10被配置成群集构造,并且在将从基板G被运入到运出为止的基板G所移动的空间保持在期望的减压状态下制造有机电子设备。在沉积装置PM1中形成有机EL元件,在第一微波等离子体处理装置PM3中,通过微波的功率将丁炔气体等离子化,并以与有机EL元件邻接并覆盖所述有机元件的方式形成aCHx膜54,在第二微波等离子体处理装置PM4中,通过微波功率将丁炔气体和氮气等离子化,并在aCHx膜54上形成SiNx膜55。 | ||
搜索关键词: | 有机 电子设备 制造 方法 装置 处理 系统 保护膜 构造 以及 存储 程序 介质 | ||
【主权项】:
一种有机电子设备,包括:形成在被处理体上的有机元件;以及覆盖所述有机元件的保护膜,其中,所述保护膜包括:应力缓和层,该应力缓和层以与所述有机元件邻接并覆盖所述有机元件的方式被层积,并含有碳成分但不包含氮成分;以及密封层,该密封层被层积在所述应力缓和层上,并含有氮成分。
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