[发明专利]静电破坏保护元件、静电破坏保护电路、半导体装置及制法有效
申请号: | 200880108156.4 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN101803022A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 藤原秀二 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/088 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种静电破坏保护元件、静电破坏保护电路、半导体装置及其制造方法。其中,所述静电破坏保护元件(50),具备:第二导电型的源极区域(4)及漏极区域(5),以夹持沟道区域(3)的方式隔着规定间隔形成在第一导电型的半导体基板(1)的表面上;第一导电型的阱区域(7),其形成为覆盖源极区域;第二导电型的嵌入层(8),其形成在第一导电型的阱区域的下方;第二导电型的第一杂质区域(9a),其形成为在漏极区域与嵌入层之间构成电流路径;和第二导电型的第二杂质区域(9b),其对阱区域和半导体基板进行分离。 | ||
搜索关键词: | 静电 破坏 保护 元件 电路 半导体 装置 制法 | ||
【主权项】:
一种静电破坏保护元件,具备:第二导电型的源极区域(4)及漏极区域(5),以夹持沟道区域(3)的方式隔着规定间隔形成于第一导电型的半导体基板(1)的表面;第一导电型的阱区域(7),其形成为覆盖所述源极区域;第二导电型的嵌入层(8),其形成在所述第一导电型的阱区域的下方;第二导电型的第一杂质区域(9a),其形成为在所述漏极区域与所述嵌入层之间构成电流路径;和第二导电型的第二杂质区域(9b),其对所述阱区域和所述半导体基板进行分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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