[发明专利]静电破坏保护元件、静电破坏保护电路、半导体装置及制法有效

专利信息
申请号: 200880108156.4 申请日: 2008-09-26
公开(公告)号: CN101803022A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 藤原秀二 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/088
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘建
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种静电破坏保护元件、静电破坏保护电路、半导体装置及其制造方法。其中,所述静电破坏保护元件(50),具备:第二导电型的源极区域(4)及漏极区域(5),以夹持沟道区域(3)的方式隔着规定间隔形成在第一导电型的半导体基板(1)的表面上;第一导电型的阱区域(7),其形成为覆盖源极区域;第二导电型的嵌入层(8),其形成在第一导电型的阱区域的下方;第二导电型的第一杂质区域(9a),其形成为在漏极区域与嵌入层之间构成电流路径;和第二导电型的第二杂质区域(9b),其对阱区域和半导体基板进行分离。
搜索关键词: 静电 破坏 保护 元件 电路 半导体 装置 制法
【主权项】:
一种静电破坏保护元件,具备:第二导电型的源极区域(4)及漏极区域(5),以夹持沟道区域(3)的方式隔着规定间隔形成于第一导电型的半导体基板(1)的表面;第一导电型的阱区域(7),其形成为覆盖所述源极区域;第二导电型的嵌入层(8),其形成在所述第一导电型的阱区域的下方;第二导电型的第一杂质区域(9a),其形成为在所述漏极区域与所述嵌入层之间构成电流路径;和第二导电型的第二杂质区域(9b),其对所述阱区域和所述半导体基板进行分离。
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