[发明专利]半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法无效
| 申请号： | 200880111467.6 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101821867A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 龟井英德 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法。在将化合物半导体层(3)层叠在单晶基板上，再将单晶基板切割成呈长方形的一个个芯片而形成的半导体发光器件(1)中，已切割的单晶基板即个别芯片状基板(2)的长边侧面(21)和(23)形成为与解理面成规定的角度，使得长边侧面(21)和(23)为与单晶基板的结晶结构的解理面不同的面。因此，能够在不增加制造工序的状态下提供能够谋求提高取光效率的半导体发光器件及使用该半导体发光器件的半导体发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 使用 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，是将氮化物半导体层层叠于设在单晶基板上的主面上，再切割所述单晶基板而形成的，呈长方形，其特征在于：长边方向的侧面即长边侧面是沿与所述单晶基板的解理面不同的方向切割而形成的。
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