[发明专利]高电压半导体器件无效
| 申请号： | 200880111827.2 | 申请日： | 2008-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101828253A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 简·雄斯基;安科·黑林格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘剑颖 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述了具有更好的电压闭锁能力相对特征导通电阻的权衡的中/高电压半导体器件的实现方法。该方法不需要任何附加工艺步骤，就可以在基线和亚微米CMOS中实现。诸如晶体管之类的CMOS半导体器件是已知的。典型地，由于诸如电压击穿等效应，这种器件在高电压(HV)下仅具有有限的应用。多数IC(集成电路)的应用需要针对电源的DC:DC升降转换的功率管理单元。典型地，针对这种应用，需要具有从10V升到10V-25V的能力的诸如晶体管之类的NMOS和PMOS半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于高栅极电压应用的半导体器件，包括优选为STI区域的衬底区域中的至少一个电介质、位于所述至少一个电介质区域之间的一个或多个半导体区域、位于所述至少一个电介质区域上并在所述至少一个电介质区域上延展的侧面中的一个或多个导电延展部分，其中，所述一个或多个延展部分通过电介质区域在延展部分边缘与电介质边缘之间的一部分，与所述一个或多个半导体区域进行电容性交互。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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