[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200880112062.4 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101828236A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 永嵨宏行;井上裕文;户田春希 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器操作性地基于三值或更高的写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻按三个或更多的阶段变化的多个类型的写入脉冲。选择电路操作性地基于写入地址而从所述存储器基元阵列选择写入目标存储器基元并将从所述脉冲产生器产生的所述写入脉冲供给到所述选择的存储器基元。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，包括：以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器；脉冲产生器，其操作性地基于三值或更高的写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻按三个或更多的阶段变化的多个类型的写入脉冲；以及选择电路，其操作性地基于写入地址而从所述存储器基元阵列选择写入目标存储器基元并将从所述脉冲产生器产生的所述写入脉冲供给到所述选择的存储器基元。
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