[发明专利]磁记录膜用溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200880112423.5 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101835920A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 加藤和照 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/00;B22F3/10;B22F3/14;C22C1/04;C22C1/05;C22C19/07;C22C32/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄丽娟;朱梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种磁记录膜用溅射靶及其制造方法，该溅射靶能够通过抑制晶粒的生长并形成为低导磁率且高密度，从而实现成膜的高效化以及膜特性的提高。本发明是一种磁记录膜用溅射靶，该溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁记录膜用溅射靶，所述溅射靶是由含有Co和Pt的基体相、以及金属氧化物相所组成的，其特征在于，导磁率为6～15，相对密度为90％以上。
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