[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200880113235.4 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101855721A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 比什努·P·戈格伊 | 申请（专利权）人： | HVVi半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在各种实施例中，公开了半导体结构和制造这些结构的方法。在一个实施例中，方法包括同时在半导体材料中或在半导体材料上方形成部分单向晶体管和部分双向晶体管。而且，还描述和要求了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，该方法包括：形成有源器件的第一部分；形成无源器件的第一部分；以及形成存储器件的第一部分；其中所述有源器件的第一部分、所述无源器件的第一部分或所述存储器件的第一部分，或者其结合，同时形成或接近同时形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
