[发明专利]基底制程装置有效
| 申请号： | 200880113565.3 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101842870A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 尹松根;宋炳奎;李在镐;金劲勳 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;杨勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 装置 | ||
【主权项】：
一种基底制程装置，包括：一个腔室，其具有一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在所述腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
