[发明专利]用于使用高K金属栅堆叠使能多Vt装置的方法

摘要

本发明提供了用于组合彼此具有不同阈值电压要求的晶体管的技术。在一方面，一种半导体装置包含：基板，其具有第一和第二nFET区域，以及第一和第二pFET区域；在基板上的位于第一nFET区域上方的逻辑nFET；在基板上的位于第一pFET区域上方的逻辑pFET；在基板上的位于第二nFET区域上方的SRAM nFET；以及在基板上的位于第二pFET区域上方的SRAM pFET，各自包含栅堆叠，所述栅堆叠具有位于高K层上方的金属层。逻辑nFET栅堆叠还包含覆盖层，将金属层与高K层分开，其中覆盖层还被配置为相对于逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAM pFET中的一个或更多个的阈值电压，偏移逻辑nFET的阈值电压。

主权项

一种半导体装置，包含：基板，具有至少第一与第二nFET区域，以及至少第一与第二pFET区域；在所述基板上位于第一nFET区域上方的至少一个逻辑nFET；在所述基板上位于第一pFET区域上方的至少一个逻辑pFET；在所述基板上位于第二nFET区域上方的至少一个SRAMnFET；以及在所述基板上位于第二pFET区域上方的至少一个SRAMpFET，其中所述逻辑nFET、逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAMpFET中的每一个包含栅堆叠，所述栅堆叠具有位于高K层上方的金属层，其中该逻辑nFET栅堆叠还包含覆盖层，所述覆盖层将金属层与高K层分开，并且其中所述覆盖层还被配置为相对于所述逻辑pFET、SRAM nFET、以及SRAM pFET中的一个或更多个的阈值电压，偏移所述逻辑nFET的阈值电压。