[发明专利]用于调整半导体器件中栅极电极的高度的方法有效
| 申请号： | 200880114374.9 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101990701A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | H·贝托尔德;K·赖歇;U·格里布诺;K·弗罗贝格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 英国开*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 于高能量注入工艺(203)期间通过提供注入阻挡材料(258)于先进半导体器件(200)之栅极电极结构(252)上，而可完成相关于晶体管(250A、250B)之沟槽区(255)之所需的掩膜效应(shielding effect)。于稍后的制造阶段中，可去除注入阻挡部分(258)以将栅极电极高度(253H)减少至所希望之程度，以便于在沉积层间介电材料(210)期间增强工艺状况，藉此明显地降低在层间介电材料(210)中，甚至在密集装填的器件区域中造成不平整物之风险。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调整 半导体器件 栅极 电极 高度 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体层(202)的上方形成晶体管(250A、250B)的栅极电极结构(252)，该栅极电极结构(252)包括形成在栅极绝缘层(254)上的电极部分(253)和形成在该电极部分(253)上的注入阻挡部分(258)；通过使用该栅极电极结构(252)作为注入掩膜的离子注入(203)而于该半导体层(202)中形成漏极和源极区(251)，以实质防止离子渗入至该晶体管(250A、250B)的沟槽区(255)中；去除至少该注入阻挡部分(258)以暴露该电极部分(253)；以及形成层间介电材料(210)邻接且位于该电极部分(253)上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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