[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200880115281.8 | 申请日: | 2008-10-02 |
公开(公告)号: | CN101855733A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 康凤哲;裴德圭 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种发光器件。所述发光器件包括含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层;支撑所述发光半导体层同时围绕所述发光半导体层的第二电极层;和在所述发光半导体层的侧面与第二电极层之间的第一钝化层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:含有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光半导体层;支撑所述发光半导体层同时围绕所述发光半导体层的第二电极层;和在所述发光半导体层的侧面与所述第二电极层之间的第一钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880115281.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。