[发明专利]用来从半导体基板除去金属硬掩模蚀刻残余物的组合物无效
| 申请号： | 200880116372.3 | 申请日： | 2008-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101883688A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | H·崔 | 申请（专利权）人： | EKC技术公司 |
| 主分类号： | B44C1/22 | 分类号： | B44C1/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用来从基板除去和清洁抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和/或金属氧化物的组合物，所述组合物包含有不含金属离子的氟化物和水。所述抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和/或金属氧化物是在使用金属硬掩模的一个或多个图案化工艺过程中产生的。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 半导体 除去 金属 硬掩模 蚀刻 残余物 组合 | ||
【主权项】：
一种用来从基板除去一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物的组合物，所述组合物包含：a)不含金属离子的氟化物，其选自氟化铵，氟化氢铵，HF以及它们的混合物；b)一种或多种酸；以及c)水，其中所述组合物的pH值约为1-8，所述一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平面化残余物、金属氟化物和金属氧化物是在使用金属硬掩模的一个或多个图案化工艺过程中产生的。
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