[发明专利]半导体装置和显示装置有效
| 申请号： | 200880117043.0 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101878534A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 福岛康守;高藤裕;多田宪史 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置和显示装置。该半导体装置(10)通过由剥离层剥离一部分而形成的包含CMOS晶体管(3)的半导体基板(1)与玻璃基板(2)相互贴合而构成。与NMOS晶体管(3n)的沟道区域(35n)同一导电型的P型、并且比沟道区域(35n)高浓度的p型高浓度杂质区域(39n)，与沟道区域(35n)电连接而形成，以使得沟道区域(35n)的电位被固定。与PMOS晶体管(3p)的沟道区域(35p)同一导电型的N型、并且比沟道区域(35p)高浓度的N型高浓度杂质区域(39p)，与沟道区域(35p)电连接而形成，以使得沟道区域(35p)的电位被固定。由此，提供一种通过抑制薄膜晶体管的特性变动能够实现高性能化的半导体装置和包括该半导体装置的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其由第一基板与第二基板相互贴合而构成，所述第一基板通过在剥离层剥离一部分而形成，且包含场效应型晶体管，所述半导体装置的特征在于：与所述第一基板的所述场效应型晶体管的沟道区域为同一导电型、并且比该沟道区域高浓度的高浓度杂质区域，与该沟道区域电连接而形成，以使得该沟道区域的电位被固定。
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