[发明专利]制造电子器件的工艺无效
| 申请号： | 200880117101.X | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101878532A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 海瑟内·拉尔赫 | 申请（专利权）人： | 皮科吉加国际公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及由III族/N材料制成的电子器件和制造该电子器件的方法，该方法包括通过外延在衬底层(1)上生长以下连续层：适于包含电子气的层(2、3)；阻挡层(4)；以及表面层(7a)。该工艺还包括针对所述表面层(7a)的至少一部分的刻蚀步骤。在所述刻蚀步骤后，执行外延再生长以在经过刻蚀的表面层(7a)上生长覆盖层(7b)。所述表面层(7a)的材料和所述覆盖层(7b)的材料包括氮和至少一种III族元素。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子器件 工艺 | ||
【主权项】：
一种制造电子器件的工艺，所述电子器件由III族/N材料制成，该工艺包括通过外延在支承层(1)上生长以下连续层：适于包含电子气的层(2、3)；阻挡层(4)；以及表面层(7a)，该工艺还包括针对所述表面层(7a)的至少一部分的刻蚀步骤，其特征在于，在所述刻蚀步骤后，执行外延再生长以在经过刻蚀的表面层(7a)上生长覆盖层(7b)，并且所述表面层(7a)的材料和所述覆盖层(7b)的材料包括氮和至少一种III族元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皮科吉加国际公司，未经皮科吉加国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880117101.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有电流扩展层的发光二极管
- 下一篇：电气设备
- 同类专利
- 专利分类
