[发明专利]双晶体管浮体动态存储单元无效
| 申请号： | 200880118629.9 | 申请日： | 2008-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN101889340A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | J·G·福萨姆;L·马修;M·赛德;V·P·特里维迪 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;周良玉 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例涉及用于嵌入式DRAM应用的双晶体管(2T)浮体单元(FBC)。其他实施例有关于浮体/栅单元(FBGC)，其除了更好的信号容限、较长的数据保持以及较高存储密度之外还降低了功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 双晶 体管浮体 动态 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：第一晶体管结构，包括第一体、第一栅极、第一源极和第一漏极；以及第二晶体管结构，包括第二体、第二栅极、第二源极以及第二漏极，其中，所述第一栅极被耦合到字线，所述第一体被耦合到所述第二栅极，所述第一漏极被耦合到第一位线，并且所述第二漏极被耦合到第二位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
