[发明专利]用于形成高密度图案的方法

摘要

本发明揭示方法，例如涉及在集成电路(200)中增加经隔离特征的密度的那些方法。在一个或一个以上实施例中，提供用于形成具有经隔离特征图案的集成电路(200)的方法，所述经隔离特征图案具有比所述集成电路(200)中的经隔离特征的开始密度大2或2以上的倍数的经隔离特征的最终密度。所述方法可包含形成具有密度X的柱(122)图案，及在所述柱(122)之间形成孔(140)图案，所述孔(140)具有至少X的密度。可选择性地移除所述柱(122)以形成具有至少2X密度的孔(141)图案。在一些实施例中，为提供具有密度2X的柱图案，可例如通过在衬底(300)上进行外延沉积而在所述孔(141)图案中形成插塞(150)。在其它实施例中，可通过蚀刻将所述孔(141)图案转移到衬底(100)。

主权项

一种方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一组柱；及在所述第一组柱上沉积间隔件材料以形成第一孔图案，其中所述孔中的至少一者位于所述第一组的柱之间，且其中在沉积之后，间隔件材料填充所述第一组的第一柱与所述第一组的最近相邻柱之间的间隔。