[发明专利]存储器阵列中的差错校正有效
申请号: | 200880119512.2 | 申请日: | 2008-10-07 |
公开(公告)号: | CN101889267A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 伊兰·伊雷兹 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克以色列有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 以色*** | 国省代码: | 以色列;IL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于校正在存储器阵列中的差错的计算机系统,包括差错校正算法和存储器。所述差错校正算法能够校正在具有标准尺寸的可校正的一组存储器单元中的高至第一比特差错率的差错。该存储器可操作以存储具有与第一组存储器单元对应的信息的第一集合的ECC比特,以及存储具有与第二组存储器单元对应的信息的第二集合的ECC比特,所述第一组存储器单元具有大于所述标准尺寸的第一尺寸,并且所述第二组存储器单元具有小于所述第一尺寸的第二尺寸并且是所述第一组的一部分。所述差错校正算法可操作以如果基于所述第一集合的ECC比特在校正所述第一组时失败,则基于所述第二集合的ECC比特来校正在所述第二组中的差错。 | ||
搜索关键词: | 存储器 阵列 中的 差错 校正 | ||
【主权项】:
一种用于校正存储器阵列中的差错的方法,该方法包括:(a)提供用于校正在可校正的一组存储器单元中的高至第一比特差错率的差错的差错校正算法,所述可校正的组具有标准尺寸;(b)生成具有与第一组存储器单元对应的信息的第一集合的ECC比特,所述第一组具有大于所述标准尺寸的第一尺寸;(c)生成具有与第二组存储器单元对应的信息的第二集合的ECC比特,所述第二组具有小于所述第一尺寸的第二尺寸并且是所述第一组的一部分;(d)应用所述差错校正算法以基于所述第一集合的ECC比特来校正在所述第一组中的差错;(e)确定在步骤(d)中的基于所述第一集合的ECC比特的所述差错校正算法是否失败;以及(f)如果所述差错校正算法失败,则应用所述差错校正算法以基于所述第二集合的ECC比特来校正在所述第二组中的差错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克以色列有限公司,未经桑迪士克以色列有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880119512.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:滚动构件和滚动轴承
- 下一篇:具有整体接口部分的可叠置的歧管