[发明专利]存储器阵列中的差错校正有效

专利信息
申请号: 200880119512.2 申请日: 2008-10-07
公开(公告)号: CN101889267A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 伊兰·伊雷兹 申请(专利权)人: 桑迪士克以色列有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 以色*** 国省代码: 以色列;IL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于校正在存储器阵列中的差错的计算机系统,包括差错校正算法和存储器。所述差错校正算法能够校正在具有标准尺寸的可校正的一组存储器单元中的高至第一比特差错率的差错。该存储器可操作以存储具有与第一组存储器单元对应的信息的第一集合的ECC比特,以及存储具有与第二组存储器单元对应的信息的第二集合的ECC比特,所述第一组存储器单元具有大于所述标准尺寸的第一尺寸,并且所述第二组存储器单元具有小于所述第一尺寸的第二尺寸并且是所述第一组的一部分。所述差错校正算法可操作以如果基于所述第一集合的ECC比特在校正所述第一组时失败,则基于所述第二集合的ECC比特来校正在所述第二组中的差错。
搜索关键词: 存储器 阵列 中的 差错 校正
【主权项】:
一种用于校正存储器阵列中的差错的方法,该方法包括:(a)提供用于校正在可校正的一组存储器单元中的高至第一比特差错率的差错的差错校正算法,所述可校正的组具有标准尺寸;(b)生成具有与第一组存储器单元对应的信息的第一集合的ECC比特,所述第一组具有大于所述标准尺寸的第一尺寸;(c)生成具有与第二组存储器单元对应的信息的第二集合的ECC比特,所述第二组具有小于所述第一尺寸的第二尺寸并且是所述第一组的一部分;(d)应用所述差错校正算法以基于所述第一集合的ECC比特来校正在所述第一组中的差错;(e)确定在步骤(d)中的基于所述第一集合的ECC比特的所述差错校正算法是否失败;以及(f)如果所述差错校正算法失败,则应用所述差错校正算法以基于所述第二集合的ECC比特来校正在所述第二组中的差错。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克以色列有限公司,未经桑迪士克以色列有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880119512.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top