[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880119593.6 申请日: 2008-08-05
公开(公告)号: CN101889302A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 中川英俊 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/13;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供薄膜晶体管阵列基板和具备它的显示面板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。TFT(5)具备栅极电极(12a);隔着栅极绝缘膜(13)与栅极电极(12a)重叠的第一半导体部(14a);隔着栅极绝缘膜(13)和第一半导体部(14a)与栅极电极(12a)重叠的源极电极(15a);隔着栅极绝缘膜(13)和第一半导体部(14a)与栅极电极(12a)重叠的漏极电极(15b);在栅极绝缘膜(13)和源极电极(15a)之间与栅极电极(12a)重叠的第二半导体部(14b);隔着栅极绝缘膜(13)和第二半导体部(14b)与栅极电极(12a)重叠的导电部(15c),通过包含源极电极(15a)和漏极电极(15b)的短路部、第二半导体部(14b)和导电部(15c)的开关元件,使源线(15a)和像素电极(17)导通。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 具备 显示 面板 以及 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其包括:呈矩阵状设置的多个像素电极;在所述各像素电极之间以相互平行地延伸的方式设置的多个源极线;在与所述各源极线交叉的方向以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极线;和在所述各栅极线和各源极线的每个交叉部分别设置的多个薄膜晶体管,该薄膜晶体管阵列基板的特征在于:所述各薄膜晶体管包括:与所述各栅极线连接的栅极电极;以隔着栅极绝缘膜与该栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第一半导体部;以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部,与所述栅极电极重叠的方式设置,并与所述各源极线连接的源极电极;以隔着所述栅极绝缘膜和第一半导体部,与所述栅极电极重叠的方式设置,并与所述各像素电极连接的漏极电极;在所述栅极绝缘膜和源极电极之间以与所述栅极电极重叠的方式呈岛状设置的第二半导体部;和以隔着所述栅极绝缘膜和第二半导体部,与所述栅极电极重叠的方式设置的导电部,在所述源极电极和漏极电极短路而形成有短路部时,通过包括所述短路部、第二半导体部和导电部的开关元件使与该源极电极连接的源极线和与该漏极电极连接的像素电极导通。
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