[发明专利]a-IGZO氧化物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200880122931.1 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101910450A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 生泽正克;矢作政隆 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786;C04B35/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在溅射法中，能够使膜的载流子浓度再现性良好地为规定值的a-IGZO氧化物薄膜的制备方法。一种非晶质In-Ga-Zn-O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5-5.5W/cm2，在基板上进行直流溅射成膜，该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％-80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％-50％，电阻率为1.0×10-1Ωcm以下。 | ||
| 搜索关键词： | igzo 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶质In Ga Zn O系氧化物薄膜的制备方法，其包括：使用如下氧化物烧结体作为溅射靶，使溅射功率密度为2.5 5.5W/cm2，在基板上进行直流溅射成膜；该氧化物烧结体主要以铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)为构成元素，铟相对于铟和镓的合计量的原子数比[In]/([In]+[Ga])为20％ 80％，锌相对于铟、镓及锌的合计量的原子数比[Zn]/([In]+[Ga]+[Zn])为10％ 50％，电阻率为1.0×10 1Ωcm以下。
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