[发明专利]具有宽松时序约束的NAND闪速存储器访问无效
申请号: | 200880123171.6 | 申请日: | 2008-12-15 |
公开(公告)号: | CN101911208A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 金镇祺 | 申请(专利权)人: | 莫塞德技术公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 通过提供将NAND闪速存储器耦合到提供对存储器的外部访问的缓存器的多个数据路径,可以放宽在访问NAND闪速存储器期间对数据传送的时序约束。该缓存器限定和外部访问相关的位宽,并且每个数据路径适应该位宽。 | ||
搜索关键词: | 具有 宽松 时序 约束 nand 存储器 访问 | ||
【主权项】:
一种存储器设备,包括:NAND闪速存储器;缓存器,所述缓存器提供对所述NAND闪速存储器的外部访问并且限定和所述外部访问相关的位宽;将所述NAND闪速存储器耦合到所述缓存器的第一和第二数据路径,并且所述第一和第二数据路径的每一个适应所述位宽;和耦合到所述NAND闪速存储器和所述缓存器的转换电路,所述第一和第二数据路径经过所述转换电路,并且所述转换电路配置为以交替顺序选择所述第一和第二数据路径。
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