[发明专利]采用激光加工制造SMD和通孔式熔断器的可制造性无效

专利信息
申请号: 200880123307.3 申请日: 2008-12-29
公开(公告)号: CN101911238A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: S·维亚纳;朱天羽 申请(专利权)人: 库帕技术公司
主分类号: H01H69/02 分类号: H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张兰英;丁晓峰
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种电路保护器的制造方法和一种电路保护器。这种方法包括以下步骤:提供有两个相反的端部的基板(110);将元件层(120)结合于基板的顶面(112);对元件层进行激光加工而使其成形为预定的几何形状。电路保护器包括:有两个相反的端部的基板(110);在基板的两个相反的端部结合于基板的顶面的端部连接片;布置成跨越两个端部连接片之间的间隔并将两个端部连接片连接起来且有预定的几何形状的熔断元件(122),预定的几何形状的最窄宽度为约0.025到约0.050mm;结合于基板的顶面并布满顶面、熔断元件(122)和端部连接片的覆盖层(130);以及在两个相反的端部电接触于端部连接片的端部端子(140和142)。
搜索关键词: 采用 激光 加工 制造 smd 通孔式 熔断器
【主权项】:
一种用于制造电路保护器的方法,包括以下步骤:提供基板;将元件层结合于所述基板的顶面;以及对所述元件层进行激光加工而将所述元件层成形为预定的几何形状。
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