[发明专利]使用来自翘曲数据的反馈的纳米形貌控制和优化无效
| 申请号： | 200880123507.9 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101909817A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | S·S·巴加瓦特;R·R·旺达姆;T·科穆拉;金子智彦;风间卓友 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B49/03;B24B51/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用具有研磨轮(209)的对的双面研磨机(101)处理晶片。通过翘曲测量设备(103)获得翘曲数据，该设备用于测量通过所述双面研磨机(101)研磨的晶片的翘曲。接收所述翘曲数据，并基于所接收的翘曲数据预测所述晶片的纳米形貌。基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定研磨参数。基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机(101)的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 来自 数据 反馈 纳米 形貌 控制 优化 | ||
【主权项】：
一种使用双面研磨机处理晶片的方法，所述双面研磨机至少具有研磨轮的对，所述方法包括：接收通过翘曲测量设备获得的数据，所述翘曲测量设备用于测量通过所述双面研磨机研磨的晶片的翘曲，所接收的翘曲数据指示出所测量的翘曲；基于所接收的翘曲数据预测所述晶片的纳米形貌；基于所预测的所述晶片的纳米形貌确定研磨参数；基于所确定的研磨参数调整所述双面研磨机的操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880123507.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法、数据系统、接收设备和数据读取方法
- 数据记录方法、数据记录装置、数据记录媒体、数据重播方法和数据重播装置
- 数据发送方法、数据发送系统、数据发送装置以及数据结构
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法及数据系统
- 数据嵌入装置、数据嵌入方法、数据提取装置及数据提取方法
- 数据管理装置、数据编辑装置、数据阅览装置、数据管理方法、数据编辑方法以及数据阅览方法
- 数据发送和数据接收设备、数据发送和数据接收方法
- 数据发送装置、数据接收装置、数据收发系统、数据发送方法、数据接收方法和数据收发方法
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
