[发明专利]为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构无效
| 申请号： | 200880123993.4 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101911293A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | C-W·黄;Y·托米塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;G05F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;徐予红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述形成微电子装置结构的方法。那些方法可包括：形成通过积聚结构与设置在积聚结构上的光敏材料的至少一个开口，其中积聚结构包括封装衬底的一部分；用含金属纳米胶填充至少一个开口；以及烧结含金属纳米胶，以在至少一个开口中形成整体性质金属结构。 | ||
| 搜索关键词： | 细线 空间 封装 应用 形成 高密度 金属 布线 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成通过积聚结构与设置在所述积聚结构上的光敏材料的至少一个开口，其中所述积聚结构包括封装衬底的一部分；用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。
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