[发明专利]存储单元

摘要

一种用于制造集成电路(IC)的方法，包括：限定多个要形成器件的连续有源区；形成在所述有源区之上延伸的多个导线；以及将所述导线用作掩模，将掺杂剂引入到所述有源区中。提供所述掺杂区域与导线之间的连接以形成第一电路部分和第二电路部分，其中至少一个有源区在所述部分之间是连续的。在该有源区中，提供所述掺杂区域与导线之间的连接以在第一与第二电路部分之间形成二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管，所述成对的晶体管被连接为使得在所述成对的晶体管之间留下共用的未被连接的掺杂区域。本发明还涉及一种相应的IC。

主权项

一种用于制造集成电路的方法，该方法包括：限定多个要形成器件的连续有源区；形成在所述有源区之上延伸的多个导线；将所述导线用作掩模，将掺杂剂引入到所述有源区中以形成掺杂区域；提供所述掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以形成第一电路部分和第二电路部分，所述有源区中的至少一个有源区在第一与第二电路部分之间是连续的；以及在所述至少一个有源区中，提供所述掺杂区域之中的一些与导线之间的连接以在第一与第二电路部分之间形成二极管连接的彼此反向偏置的成对的晶体管，所述成对的晶体管被连接为使得在所述二极管连接的晶体管之间留下共用的未被连接的掺杂区域。