[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880125404.6 | 申请日： | 2008-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101925986A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 田村直义;岛宗洋介;前川裕隆 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。在pMOS区域(2)内形成凹沟(21)，然后，以覆盖凹沟(21)的底面及侧面的方式形成SiGe层(22)。接着，在SiGe层(22)上，形成含有比SiGe层(22)的含油率低的含有率的Ge的SiGe层(23)。接着，在SiGe层(23)上形成SiGe层(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：硅衬底；栅极绝缘膜，其形成在上述硅衬底上；栅电极，其形成在上述栅极绝缘膜上；沟槽，其形成在既是上述栅电极的两侧又是上述硅衬底的表面的位置上；第一半导体层，其覆盖上述沟槽的底面及侧面，并且含有Ge；第二半导体层，其形成在上述第一半导体层上，并且以比上述第一半导体层的Ge含有率低的含有率含有量的Ge；第三半导体层，其形成在上述第二半导体层上，并且含有Ge。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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