[发明专利]TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置有效

专利信息
申请号: 200880126950.1 申请日: 2008-10-09
公开(公告)号: CN101946327A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 田中信也;菊池哲郎;今井元;北川英树;片冈义晴 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/1368;G09G3/20;G09G3/36;H01L21/336
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极·漏极电极(4)的电极线(4a)分支的支电极(4b)与第一区域(R)开始交叉的部位(D)的第一区域(R)的外缘至电极线(4a)的距离(d1)为5μm以上。由此实现具有能够容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构的TFT。
搜索关键词: tft 移位寄存器 扫描 信号线 驱动 电路 开关电路 显示装置
【主权项】:
一种TFT,其设置有栅极电极、第一源极·漏极电极和第二源极·漏极电极,所述第一源极·漏极电极和所述第二源极·漏极电极中的一方为源极电极且另一方为漏极电极,该TFT的特征在于:以在膜厚方向隔着绝缘膜与所述栅极电极相对的方式,设置有使用半导体材料的i层和依次层叠有所述i层与n+层的层叠体,所述第一源极·漏极电极配置在第一区域内的所述n+层上,所述第一区域为设置有所述i层的面板面内的区域,所述第二源极·漏极电极包括:设置于所述第一区域外的电极线;和从所述电极线分支延伸的多个支电极,各所述支电极从所述电极线延伸至所述第一区域内的所述n+层上,在所述第一源极·漏极电极与位于所述第一区域内的所述支电极之间,该第一源极·漏极电极在面板面内方向夹着在所述第一区域中以不存在所述n+层的方式形成的所述i层的图案,所述支电极与所述第一区域开始交叉的第一部位的所述第一区域的外缘,相比于所述支电极与在膜厚方向观看所述栅极电极时的所述栅极电极的区域开始交叉的第二部位的所述栅极电极的外缘,位于所述电极线一侧,或者,所述第一部位的所述第一区域的外缘与所述第二部位的所述栅极电极的外缘位于相同的位置,作为从所述第一部位的所述第一区域的外缘至所述电极线的距离的第一距离为5μm以上。
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