[发明专利]处理装置有效
| 申请号： | 200910000492.3 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101504910A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 东条利洋;佐佐木和男 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理装置，当在处理容器内使处理气体流动对被处理体进行处理时，能够使处理的面内均匀性提高，并且能够抑制颗粒向被处理体的附着，处理装置的载置台被设置在处理容器的内部，用于载置被处理体；处理气体供给单元用于从该载置台的上方侧供给处理气体，对载置于该载置台上的被处理体进行处理。气体排气部用于从所述载置台的周围对处理容器内的气体进行排气；气流导向部件沿着该载置台的周方向设置在所述载置台的周缘部的上方，在与该周缘部之间向外侧引导气流。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种处理装置，其特征在于，包括：设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；用于从该载置台的上方侧供给处理气体，对载置于该载置台上的被处理体进行处理的处理气体供给单元；用于从所述载置台的周围对处理容器内的气体进行排气的气体排气部；和沿着该载置台的周方向设置在所述载置台的周缘部的上方，在与该周缘部之间向外侧引导气流的气流导向部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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