[发明专利]台型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910001345.8 | 申请日： | 2009-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101499421A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木彰;关克行;小田岛庆汰 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社;三洋半导体制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在台型半导体装置及其制造方法中，提升耐电压并降低漏电流。于半导体基板(1)的表面形成N-型半导体层(2)，于N-型半导体层(2)的上层形成P型半导体层(3)。接着，从P型半导体层(3)的表面蚀刻PN接合部JC、N-型半导体层(2)、达至半导体基板(1)的厚度方向的中途，而形成越接近半导体基板(1)其宽度越大的台沟(8)。接着，由湿蚀刻去除因前述蚀刻所产生的台沟(8)内壁的损伤层，且在接近P型半导体层(3)的表面的区域中以越接近P型半导体层(3)的表面其宽度越大的方式来加工台沟(8)。之后，切割由半导体基板(1)以及层叠于半导体基板(1)的各层所构成的层叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种台型半导体装置的制造方法，包含有：准备第一导电型的半导体基板，并于前述半导体基板的表面形成比前述半导体基板的浓度还低的第一导电型的第一半导体层的步骤；于前述第一半导体层的表面形成第二导电型的第二半导体层的步骤；第一蚀刻步骤，是形成台沟，该台沟是从前述第二半导体层的表面到达前述半导体基板中，且随着从前述第二半导体层的表面越接近前述半导体基板其宽度越大；以及第二蚀刻步骤，是去除因前述第一蚀刻步骤所产生的前述台沟的内壁的损伤层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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