[发明专利]用于高压设备的静电放电保护构图

摘要

公开了一种用于高压设备的静电放电保护构图，通过生成环绕晶体管源或漏的隔离岛，以提供所述源或漏之间增强的电流隔离。该隔离岛是所述源/漏处较高掺杂的区域。这个较高掺杂的岛区与环绕的衬底之间的结用于限制穿透所述源/漏的电流总量。另外，可采用氧化物特性以生成环绕所述源/漏接触孔的岛。并且该隔离效应使通过所述器件的电流量更加均匀，从而保护器件不会受到ESD所引起的损伤。

主权项

1、一种半导体器件，包括：在衬底上的多个晶体管，所述多个晶体管包括：共用栅区，所述共用栅区为所述多个晶体管中每个晶体管提供栅端和接触孔；与所述共用栅区相关的多个源端，所述多个源端中的每个源端具有源接触孔，并为所述多个晶体管中的每个晶体管提供单独的源端；与所述共用栅区相关的多个漏端，所述多个漏端中的每个漏端具有漏接触孔，其中所述多个漏端的每个漏端都对应于所述多个源端中相应的一个；和环绕所述多个漏端中每个漏端的多个隔离区。