[发明专利]半导体激光装置

摘要

提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO₂构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。

主权项

1、一种半导体激光装置，具备：在半导体基板上相互隔着分离槽而形成，具有第一脊条部的第一半导体激光器构造和具有与所述第一脊条部平行设置的第二脊条部的第二半导体激光器构造，所述第一半导体激光器构造具有在所述半导体基板上依次形成的第一金属包层、第一活性层、第二金属包层及第一电流阻碍层，所述第二半导体激光器构造在所述半导体基板上具有隔着所述分离槽依次形成的第三金属包层、第二活性层、第四金属包层及第二电流阻碍层，在所述第二金属包层中的所述第一脊条部的与所述第二半导体激光器构造相反侧的侧面上及侧方的区域上形成有第一应变缓和层，在所述第四金属包层中的所述第二脊条部的与所述第一半导体激光器构造相反侧的侧面上及侧方的区域上形成有第二应变缓和层，当设所述第二金属包层及第四金属包层的热膨胀系数为Tc、所述第一电流阻碍层及第二电流阻碍层的热膨胀系数为Tb、所述第一应变缓和层及第二应变缓和层的热膨胀系数为Ts时，满足Tb

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