[发明专利]发光半导体装置有效
| 申请号： | 200910001655.X | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777607A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吕志强;彭韦智;王健源;陈威佑;三晓蕙;谢明勋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光半导体装置，包括发光结构、反射结构、以及载体。发光结构具有第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。反射结构具有第一透明导电层、第一图案化反射层、第二透明导电层以及第二图案化反射层。第一图案化反射层位于第一透明导电层与第二透明导电层之间。第一图案化反射层具有开口以使第一透明导电层与第二透明导电层实体上连接。第二透明导电层位于第一图案化反射层与第二图案化反射层之间。第二图案化反射层位于相对于开口的区域上。发光结构与载体位于反射结构的两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种发光半导体装置，包括：发光结构，至少具有第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，且该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；反射结构，至少具有第一透明导电层、第一图案化反射层、第二透明导电层以及第二图案化反射层，其中该第一图案化反射层位于该第一透明导电层与该第二透明导电层之间，且该第一图案化反射层具有至少一开口以使该第一透明导电层与该第二透明导电层实体上连接，该第二透明导电层位于该第一图案化反射层与该第二图案化反射层之间，且该第二图案化反射层位于大体上相应于该开口的区域上；以及载体，其中该发光结构与该载体分别位于该反射结构的两侧。
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