[发明专利]导线结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200910002513.5 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101488489A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 胡玉山;陈明志;胡迪群 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种导线结构及其形成方法，包含一基板；至少一图案化导电层形成于基板之上；一导线，形成于至少一图案化导电层之上；一保护层，围绕导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。上述结构还包括一底层形成于导线之下。底层包括镍、铜或铂。导线包括金或铜。至少一图案化导电层包括至少钛/铜。保护层包括无电镀锡、金、银或镍。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件的导线结构，其特征在于，包含：一基板；至少一图案化导电层，形成于该基板之上；一导线，形成于该至少一图案化导电层之上；以及一保护层，围绕该导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。
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