[发明专利]硅晶片的受控边缘电阻率无效
| 申请号： | 200910004027.7 | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101519796A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | K·利特;Q·特兰 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 生产一种外延硅晶片，其邻近边缘的区域中的电阻率大于或小于邻近中心处的电阻率。可以通过如下方法制造该晶片，其中在沉积外延层期间调节一个或多个工艺参数以控制边缘电阻率。这种工艺参数可以包括在晶片正表面上使用不均匀的温度和/或工艺反应气体流量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 受控 边缘 电阻率 | ||
【主权项】：
1、一种制造硅晶片的方法，每个晶片都定义了中心、环形外边缘、邻近所述边缘的区域以及正表面，所述方法包括：在所述晶片的所述正表面上沉积外延层，所述层具有邻近所述中心处的第一电阻率以及在邻近所述边缘的所述区域中的第二电阻率，在沉积所述外延层的步骤期间调节至少一个工艺参数以控制所述第二电阻率，使其与所述第一电阻率相比至少改变大约2％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司，未经硅电子股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910004027.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
