[发明专利]具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构及其制造方法，主要在于利用一高掺杂离子注入工艺注入一高掺杂漏极区，并与一轻掺杂漏极区重叠。从而使得在漏极区结深度降低以改善短沟道效应的同时，能避免刻蚀一接触孔时，对该轻掺杂漏极区造成挖穿的现象。

主权项

一种具有高掺杂漏极区的NOR型闪存结构，其特征在于，该闪存结构包含：一半导体衬底，在其上具有二栅极结构；一第一漏极区，为一轻掺杂区，位于所述二栅极结构之间的所述半导体衬底中；二第一源极区，分别位于所述二栅极结构的二外侧的所述半导体衬底中；其中，所述第一源极区在所述半导体衬底中的结深度较所述第一漏极区深；一高掺杂漏极区，位于所述二栅极结构间的所述半导体衬底中，并与所述第一漏极区重叠，且所述高掺杂漏极区在所述半导体衬底中的结深度较所述第一漏极区深；二自动对准金属硅化物层，分别位于所述二栅极结构上方；及一位障插栓，分隔所述二栅极结构。