[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910005616.7 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101533815A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 山田茂 | 申请（专利权）人： | OKI半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;李 伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，抑制通过设置在半导体基板上贯通口所露出的电极层发生裂缝。贯通过孔(22)的开口直径比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口直径大，并且按照贯通过孔(22)的开口边缘位于比钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘更靠外侧的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。或者按照贯通过孔(22)的开口边缘与钝化膜(16)的开口部(16A)的开口边缘(与焊盘电极(14)接触的部位的开口边缘)在不重叠的位置的方式配置贯通过孔(22)和钝化膜(16)的开口部(16A)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；电极层，其配置在所述半导体基板的第一主面上；绝缘层，其配置在所述半导体基板的第一主面上，具有使所述电极层的一部分露出的开口部；贯通口，其从所述半导体基板的第二主面在厚度方向贯通，使所述电极层的一部分露出，其开口直径比所述开口部的开口直径大，并且开口边缘位于比所述开口部的开口边缘更靠外侧。
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