[发明专利]图案化磁记录介质的制造方法无效
| 申请号： | 200910006814.5 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101521023A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 梶原里美;庄子习一;水野润;篠原秀敏 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社;学校法人早稻田大学 |
| 主分类号： | G11B5/855 | 分类号： | G11B5/855;G11B5/74 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭 放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案化的磁记录介质的制造方法，包括不使磁性层(3)的磁特性劣化地彻底剥离磁性层(3)上的刻蚀抗蚀剂的工序，刻蚀抗蚀剂是在磁性层(3)的刻蚀中使用的。其特征在于，在磁性层(3)的刻蚀中所使用的刻蚀抗蚀剂的剥离工序包括下述工序：在减压下，向此磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂照射受激准分子VUV激光的工序；以及将残留在磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂覆膜(5)浸渍到抗蚀剂剥离剂溶液中并清洗去除的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 记录 介质 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种图案化磁记录介质的制造方法，其特征在于包括以下工序：(1)在按顺序包含基板、磁性层和第1保护层的层叠体上，涂覆抗蚀剂，形成抗蚀剂覆膜；(2)将抗蚀剂覆膜图案化，形成刻蚀图案；(3)沿着刻蚀图案，刻蚀磁性层和第1保护层、进行图案化；(4)对抗蚀剂覆膜照射受激准分子VUV激光；以及(5)使用抗蚀剂剥离剂溶液清洗去除抗蚀剂覆膜。
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