[发明专利]一种高电压电流金属氧化物半导体电路结构

摘要

一种应用于实现高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：一深-N井、一位于NWD之内的P井、多个位于NWD与PW之内的n+掺杂区以及p+掺杂区、多个场效氧化区、一连接至一该掺杂区的基体、一连接至一掺杂区的源极、一连接至一掺杂区的漏极、及一位于源极与漏极之间的栅极，其中，半导体结构的上视图中的所有区域，包括该NWD、PW、FOX、n+掺杂区与p+掺杂区，不限定于任何特定形状，但呈现相互包围环绕的向外辐射的状态，且与基体连接的掺杂区为与源极连接的掺杂区所环绕，再依序由内向外分别被，与该栅极连接的掺杂区、FOX区、与漏极连接的掺杂区所包围，因此上视图呈现一环环围绕的重叠区域，并且使得电流能从源极以向外辐射方式流向漏极。

主权项

一种高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：一深-N井；一P井位于该深-N井之内；多个掺杂区，位于该深-N井与该P井之内，还包括，n+掺杂区以及P+掺杂区；多个场效氧化区；一基体，连接至一该掺杂区；一源极，连接至一该掺杂区；一漏极，连接至一该掺杂区；及一栅极，位于该源极与该漏极之间；其中，该半导体结构的上视图中的所有区域，包括该深-N井、该P井、该场效氧化区、该n+掺杂区与该p+掺杂区，不限定于任何特定形状，但呈现相互包围环绕的向外辐射的状态，且与该基体连接的该掺杂区是为与该源极连接的该掺杂区所环绕，再依序由内向外分别被，与该栅极连接的该掺杂区、该场效氧化区、与该漏极连接的该掺杂区所包围，因此上视图呈现一环环围绕的重叠区域，并且使得电流能从源极以向外辐射方式流向漏极。