[发明专利]非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列无效
| 申请号： | 200910006934.5 | 申请日： | 2006-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101546784A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明披露非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置于该隧道介电结构上；绝缘层，其设置于该电荷储存层上；及栅极电极，其设置于该绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 具有 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1. 一种能隙工程电荷陷获介电非易失性存储单元，包括：半导体基板，包括通道区；栅极；数据储存结构，设置于该通道区及该栅极之间，该数据储存结构包括穿遂介电结构、电荷陷获层及势垒介电层，该穿遂介电结构设置于该信道区上，该电荷陷获层设置于该穿遂介电结构上，该势垒介电层设置于该电荷陷获层上；其中，该数据储存结构用以陷获电荷以将目标临界电压设定于高临界状态，该穿遂介电结构包括底介电层、中间介电层及上介电层，该中间介电层的空穴穿遂高度低于该底介电层的空穴穿遂高度，该上介电层的空穴穿遂高度高于该中间介电层的空穴穿遂高度，其中该数据储存结构应用于运作模式，该运作模式将空穴注入后通过穿遂介电结构穿遂至该电荷陷获层。
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