[发明专利]半导体装置封装和制造半导体装置封装的方法有效
| 申请号： | 200910007040.8 | 申请日： | 2009-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101546718A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | C·K·陈;B·H·古 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;李家麟 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称为半导体装置封装和制造半导体装置封装的方法，提供一种制造电子装置的方法。该方法包括提供载体片、蚀刻引框材料片以形成引线框材料片的第一表面上的凹口、将电子芯片放置在载体片的凹口中、以及之后选择性地蚀刻引线框材料片的第二表面，第二表面与第一表面相对。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体装置的方法，包括：提供引线框材料片；蚀刻所述引线框材料片以在所述引线框材料片的第一表面上形成凹口；将半导体芯片放置在所述引线框材料片的所述凹口中；以及选择性地蚀刻所述引线框材料片的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910007040.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机局部增氧系统
- 下一篇：一种活塞气体密封装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
