[发明专利]闪速存储器装置有效

专利信息
申请号: 200910007531.2 申请日: 2009-02-11
公开(公告)号: CN101510440A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 金泓秀;申花炅;金珉澈 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/08;H01L27/115
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆锦华
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种闪速存储器装置,可以包括存储单元阵列,存储单元阵列包括多个存储块,其中每个存储块具有设置在字线和位线的交叉处的存储单元,其中,多个存储块中的存储块彼此紧邻,并且限定存储块对。闪速存储器装置还可包括行选择电路,行选择电路被配置为响应于与存储地址相关联的存储操作来驱动字线,其中,行选择电路可包括位于每对存储块中所包括的存储块之间的相应屏蔽线,并且存储块对中的每个存储块在其间具有公共源线。
搜索关键词: 存储器 装置
【主权项】:
1. 一种闪速存储器装置,包括:存储单元阵列,包括多个存储块,所述存储块的每个具有设置在字线和位线的交叉处的存储单元,彼此紧邻的所述多个存储块中的存储块包括存储块对;和行选择电路,被配置为响应于与存储地址相关联的存储操作来驱动所述字线,其中,所述行选择电路包括位于每对存储块中所包括的存储块之间的相应屏蔽线,并且所述存储块对中的每个存储块在其间具有公共源线。
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