[发明专利]设计支持系统、可读介质、半导体器件设计和制造方法无效
| 申请号： | 200910007589.7 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101515305A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 相泽宏一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种设计支持系统、可读介质、半导体器件设计和制造方法。该设计支持系统包括栅极膜信息获取部件和最大容许天线比率设置部件。该栅极膜信息获取部件获取有关已被设计的半导体器件的栅极绝缘膜的厚度的信息。栅极绝缘膜厚度指的是物理膜厚度。该最大容许天线比率设置部件根据通过该栅极膜信息获取部件获取的膜厚度信息来设置用于栅电极的最大容许天线比率。因此，当根据栅极绝缘膜的厚度改变最大容许天线比率时，设计半导体器件的设计者能够设置具体值。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 支持系统 可读 介质 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设计支持系统，包括：栅极膜信息获取部件，所述栅极膜信息获取部件获取栅极绝缘膜的膜厚度；和最大容许天线比率设置部件，所述最大容许天线比率设置部件为位于所述栅极绝缘膜上的栅电极设置最大容许天线比率并且根据通过所述栅极膜信息获取部件获取的所述膜厚度而使得所述最大容许天线比率不同。
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